Курсовая на тему Схема на кремниевом биполярном транзисторе KT608Б

Автор: Андрей

Тип работы: Курсовая

Предмет: Физика

Страниц: 35

Год сдачи: 2012

ВУЗ, город: Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана

Выдержка

1. Задание на курсовой проект. 1. Рассчитать параметры резисторов , , и , исходя из заданного положения рабочей точки в классе А ( ) и ее нестабильности ( ) при напряжении источника питания схемы ( ), типе транзистора (VT1), для схемы, изображенной на рис.1. Рис. 1. Схема электрическая принципиальная усилителя 2. Используя любую из программ анализа электронных схем, промоделировать работу схемы на постоянном токе. Рассмотреть узловые потенциалы в схеме. Построить передаточную характеристику схемы на участке база-коллектор транзистора и нанести на нее рабочую точку. Обозначить на характеристике области работы транзистора. 3. Изменить коэффициент усиления по току транзистора ( ) в два раза и определить, на сколько изменится ток коллектора. Проделать то же, изменив неуправляемый ток коллекторного перехода в десять раз. 4. Дать заключение о степени соответствия прогноза, сделанного на основании аналитических расчетов, и результатов моделирования по работе схемы на постоянном токе.

Содержание

1. Задание на курсовой проект. 2 2. Исходные данные. 4 3. Выполнение задания. 5 3.1. Расчёт резисторов , , и 5 3.2. Моделирование работы схемы на постоянном токе 6 3.3. Изучение влияния изменения параметров транзистора на работу усилителя 10 3.4. Анализ результатов моделирования работы схемы на постоянном токе 12 3.5. Определение малосигнальных параметров схемы 13 3.6. Расчёт емкостей конденсаторов и верхней граничной частоты усиления 15 3.7. Моделирование работы схемы на переменном токе 18 3.8. Изучение реакции усилителя на импульсный сигнал 23 3.8.1. Изучение реакции усилителя на импульсный сигнал малой величины 23 3.8.2. Изучение реакции усилителя на импульсный сигнал большой величины 27 3.9. Исследование семейства выходных характеристик 29 3.10. Анализ результатов моделирования работы схемы на переменном токе 32 4. Список литературы 34 5. Приложение: Список параметров транзистора, используемых в Electronics Workbench 35

Литература

1) Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. М.: Лаборатория базовых знаний, 2001, 488 с. 2) Опадчий Ю. Ф., Глудкин О. П., Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника. М.: “Горячая Линия - Телеком”, 2002, 768 с. 3) Павлов В. Н., Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. М.: “Горячая Линия - Телеком”, 2001, 320 с. 4) Бессонов Л. А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Гардарики, 2002, 637 с. 5) Методические указания по выполнению курсовой работы по дисциплине “Электроника”. Иванов С. Р. Москва 2010 г. 6) Конспект лекций Иванова С. Р. по дисциплине “Электроника” (3, 4 семестр 2009-2010). 7) Горюнов Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Издательство : Москва.: Энергоатомиздат, 1985 г.